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该主控提供PCIe 4个Lane和8个NAND Flash通道，支持3D MLC/TLC/QLC的NAND，使用LDPC以及Enhance RAID增强了数据可靠性和耐久性。支持1.2V和1.8V接口电压，国密SM2/SM3/SM4，TCG OPAL。消费级工作温度范围：0°C-70°C，工业级工作温度范围：-40°C-85°C。顺序读写速度高达3500MB/s，3200MB/s，随机读写速度都高达800K IOPS。
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英特尔发布新一代Optane Memory M15，采用PCIe 3.0 x4接口，NVMe 1.1协议标准， 顺序读写速度分别达2000MB/s、900 MB/s， 随机写入速度分别达450k IOPS、220k IOPS，相较于ptane Memory M10采用的PCIe 3.0 x2接口速度更快，提供16GB, 32GB,64GB容量选择，预计将于2019年第三季度上市。
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汽车解决方案业务部汽车技术客户参与部副总裁Naoki Yoshida表示，“作为重要的合作伙伴，西部数据为开发高端、高要求、数据密集型汽车应用的客户提供广泛的存储解决方案。瑞萨R-Car系列汽车SoC和Western Digital的iNAND汽车级存储解决方案的结合将为客户提供了强大而可靠的汽车解决方案。”
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